一周快讯丨英特尔或将在2024年成为..........

1. 英特尔或将在2024年成为全球第二大代工芯片制造商

据消息，英特尔最早可能在2023年超越三星，成为全球第二大代工芯片制造商，仅次于台积电。英特尔的目标是通过其IDM 2.0计划重新获得技术领导者的地位，扩大第三方代工产能的使用，并增加自己的晶圆厂产能，以扩大其在合同芯片制造领域的影响力。因此，随着英特尔加大力度重返代工领域，加之三星一直无法为其先进的芯片制造和封装能力赢得主要的外部客户，2024年前十的代工厂名单将发生变化。

 2. 安森美部分物料价格上涨

安森美的需求主要集中在汽车和工业领域，例如NCV、SZ系列，目前车规物料的交期没有得到改善，依旧维持在40-50周；而需求较多的FSV系列交期延长至50周，因此该系列物料的价格也在大幅度上涨。

 3. 荷兰芯片出口管制新规生效，光刻机巨头ASML发声

9月1日早上，荷兰光刻机巨头ASML在一份声明中称，该公司已向荷兰政府提出TWINSCAN NXT：2000i及后续推出的浸润式光刻系统的出口许可证申请，荷兰政府也已经颁发了截至9月1日所需的许可证，允许ASML今年继续发运相关光刻系统。

“在新的出口管制条例下，今年年底前ASML仍然能够履行与客户签订的合同，发运这些光刻设备。我们的客户也已知悉出口管制条例所带来的限制，即自2024年1月1日起，ASML将基本不会获得向中国客户发运这些设备的出口许可证。” 该声明中称。

 4. TrendForce集邦咨询：原厂成功拉涨Wafer合约价

近期NAND Flash现货市场颗粒报价受到wafer合约价成功拉涨消息带动，部分品项出现较积极询价需求。市场详情据TrendForce集邦咨询了解，主要起因于8月下旬NAND Flash原厂进一步与部分中国指标模组厂议定新一笔Wafer订单，并成功拉抬512Gb wafer合约价，涨幅约10%，其他原厂亦跟进将同级产品价格提升，显现原厂不愿再低价成交，从而带动Wafer现货市场近期出现短期涨势。不过，由于相关采购订单是基于供应端报价调涨而涌现，是否有实际终端订单支撑仍待观察。

 5. 英飞凌携手Edge Impulse扩展边缘AI能力

【 2023 年 8 月 28 日 德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司于近日宣布与Edge Impulse合作，为PSoC™ 63低功耗蓝牙 ®微控制器（MCU）扩展基于微型机器学习的AI开发工具。人工智能物联网应用开发者现在可以使用Edge Impulse Studio环境，在高性能、低功耗的PSoC 63低功耗蓝牙微控制器上构建边缘机器学习（ML）应用。

英飞凌的 PSoC 63低功耗蓝牙微控制器器件采用基于Arm ® Cortex ®-M4F和Arm Cortex-M0+的双核芯片架构，在单个芯片上集成了低功耗蓝牙5.2、可配置的电压与频率设置、内置硬件安全、尖端电容接口等功能。作为市场上唯一的150 MHz 低功耗蓝牙微处理器，该款英飞凌PSoC器件集节能、小尺寸和可编程性于一身，可以完美适配受益于运行高级深度学习算法的边缘物联网应用。

Edge Impulse的产品简化了收集和构建数据集的过程，使用预先构建的构建块设计算法、使用实时数据验证模型，并在PSoC 63低功耗蓝牙微控制器等边缘目标部署完全优化的生产就绪方案。

 6. 华邦电子与Mobiveil合作开发HYPERRAM™控制器

8月30日，华邦电子与Mobiveil共同宣布，双方将合作开发全新的 IP控制器，将应用场景拓展至汽车、智能 IoT、工业、可穿戴设备、TWS、智能音箱和通讯等领域。

Mobiveil首席执行官Ravi Thummarukudy表示，HYPERRAM™ 支持HYPERBUS™接口，只需13个信号引脚即可实现高达500Mbps（x8 I/O）的速度。

HYPERRAM™ 控制器还支持AXI内存映射系统接口、支持线性/混合/环绕突发传输模式、具备超低功耗休眠功能（例如深度睡眠模式与混合睡眠模式）。此外，该HYPERRAM™控制器还支持 AMBA® AHB-Lite系统接口。

华邦电子DRAM事业群副总经理范祥云表示，目前全新的HYPERRAM™3.0已配备22个引脚的扩展IO HYPERBUS™接口，支持高达1000Mbps的数据传输速率。

自产品面市以来，华邦电子HYPERRAM ™出货量已超4亿颗。资料显示，华邦电子的产品包含利基型动态随机存取内存、行动内存、编码型闪存和TrustME®安全闪存，广泛应用在通讯、消费性电子、工业用以及车用电子、计算机周边等领域。

 7. 三星电子宣布开发出12nm级32GbDRAM

2023年9月1日，三星电子宣布该公司已采用12纳米（nm）级工艺技术，开发出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM，在相同封装尺寸下，容量是16Gb内存模组的两倍，并计划于今年年底开始量产。

三星电子存储器事业部内存开发组执行副总裁SangJoon Hwang表示：在三星最新推出的12纳米级32Gb内存的基础上，三星可以研发出实现1TB内存模组的解决方案，这有助于满足人工智能和大数据时代对于大容量DRAM内存日益增长的需求。

据介绍，通过使用最新开发的32Gb内存颗粒，即使不使用硅通孔（TSV）工艺也能够生产128GB内存模组，该产品与使用16Gb内存封装的128GB内存模组相比，功耗降低了约10%。这一技术突破使该产品成为数据中心等关注能效的企业的优选解决方案。以12纳米级32Gb DDR5 DRAM为基础，三星计划继续扩充大容量DRAM产品阵容，以满足高性能计算和IT行业持续增长的需求。

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